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IRLR/U3715ZCPbF
10000
1000
VGS
Ciss
Crss
Coss
Ciss
= 0V,   f = 1 MHZ
= C gs + Cgd , C ds SHORTED
= C gd
= C ds + Cgd
6.0
5.0
4.0
ID= 12A
VDS= 16V
VDS= 10V
100
10
Coss
Crss
3.0
2.0
1.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
100.00
T J = 175°C
1000
100
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10.00
10
100μsec
1msec
1.00
TJ = 25°C
1
10msec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
0.10
VGS = 0V
0.1
Single Pulse
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1
10
100
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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